Прямое моделирование ёмкостных свойств диода в программе Cadance OrCaD Capture невозможно, однако можно предложить простой способ определения барьерной ёмкости по изменению обратного тока при воздействии импульсного сигнала.
Iс бар=Сбар*(dU/dt)
Отсюда Cбар= Iс бар/(dU/dt). Если U=k*t то
Сбар= Iс бар/k.
Рис. 85. Схема моделирования ёмкостных свойств диода
Параметры моделирования:
.TRAN 0 0.9ms 0.001ms
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 86. График зависимости барьерной ёмкости от напряжения.
Как видно из графика, ёмкость уменьшается с ростом обратного напряжения смещения на диоде из-за расширения электронно-дырочного перехода.
По результатам расчета определяется Fi контактная и характер распределения примесей (линейный p-n переход либо резкий p-n переход). Как видно из графика, ближе к линейной зависимости график функции 1/Cбар^3, т.е. можно сделать вывод что исследованный диод имеет линейное распределение примесей. Перенесение этой функции с осью абсцисс даёт значение контактной разности потенциалов 0.7 В.
Рис. 87. Графики зависимости от напряжения 1/Сбар^2 и 1/Сбар^3
Возможны и другие способы определения Сбар по результатам исследования резонансных частот параллельного или последовательного резонансного контура в котором в качестве ёмкости используется барьерная ёмкость p-n перехода.
Читайте также
Оптоэлектронные технологии
Оптоэлектроника
- бурно развивающаяся область науки и техники. Многие ее достижения вошли в
быт: индикаторы, дисплеи, лазерные видеопроигрыватели. Разрабатывается
твердоте ...
Проект внутризоновой ВОЛП на участке Новосибирск—Карасук
Научно-технический
прогресс во многом определяется скоростью передачи информации и ее объемом.
Возможность резкого увеличения объемов передаваемой информации наиболее полно
реализуется ...
Последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией
Прежде чем начать изложение основного материала моей курсовой работы,
стоит ввести определения некоторых понятий, которые в дальнейшем будут широко
использоваться в данной работе.
Инт ...