Прямое моделирование ёмкостных свойств диода в программе Cadance OrCaD Capture невозможно, однако можно предложить простой способ определения барьерной ёмкости по изменению обратного тока при воздействии импульсного сигнала.
Iс бар=Сбар*(dU/dt)
Отсюда Cбар= Iс бар/(dU/dt). Если U=k*t то
Сбар= Iс бар/k.
Рис. 85. Схема моделирования ёмкостных свойств диода
Параметры моделирования:
.TRAN 0 0.9ms 0.001ms
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 86. График зависимости барьерной ёмкости от напряжения.
Как видно из графика, ёмкость уменьшается с ростом обратного напряжения смещения на диоде из-за расширения электронно-дырочного перехода.
По результатам расчета определяется Fi контактная и характер распределения примесей (линейный p-n переход либо резкий p-n переход). Как видно из графика, ближе к линейной зависимости график функции 1/Cбар^3, т.е. можно сделать вывод что исследованный диод имеет линейное распределение примесей. Перенесение этой функции с осью абсцисс даёт значение контактной разности потенциалов 0.7 В.
Рис. 87. Графики зависимости от напряжения 1/Сбар^2 и 1/Сбар^3
Возможны и другие способы определения Сбар по результатам исследования резонансных частот параллельного или последовательного резонансного контура в котором в качестве ёмкости используется барьерная ёмкость p-n перехода.
Читайте также
Проектирование цифрового устройства для реализации типовых микроопераций
Разработать функциональную и принципиальную схему операционного
устройства исходя из основных параметров по вариантам.
Также требуется предоставить блок схемы алгоритмов выполнения опе ...
Передаточная функция разомкнутой системы
1. Определить
передаточную функцию разомкнутой системы рис.1, представить её в канонической
.форме. Построить её логарифмические частотные характеристики.
2. Оценить
показатели к ...
Обучающая подсистема для лабораторного исследования характеристик замкнутых САУ в среде интернет
В последние десятилетия в зарубежных системах образования
произошли существенные изменения, обусловленные бурным развитием
научно-технического прогресса и его воздейст ...