На гармоническом сигнале
Рис. 79. Схема моделирования зависимости тока диода от частоты и температуры.
Временная зависимость тока через диод
Параметры моделирования:
.TRAN 0 0.01u 0 0.0001u
.STEP PARAM qwe LIST 1 5 10 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 80. Временная зависимость тока через диод от амплитуды выпрямляемого напряжения
С ростом амплитуды выпрямляемого напряжения увеличивается инжектированный в базу диода заряд, на рассасывание которого требуется больше времени, поэтому с ростом амплитуды прямого напряжения увеличивается время восстановления обратного сопротивления диода.
Зависимость динамических свойств диода от температуры
Параметры моделирования:
.TRAN 0 0.01u 0 0.0001u
.TEMP -60 27 125
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 81. Влияние температуры на динамические свойства диода
Так как с ростом температуры увеличивается время жизни неосновных носителей, заряда инжектированных в базу диода, то увеличивается и время восстановления обратного сопротивления диода. С ростом частоты и температуры ухудшаются динамические свойства диода.
На импульсном сигнале
Рис. 82. Схема моделирования переключательных свойств диода
Параметры моделирования:
.TRAN 0 0.45ns 0 0.0001ns
.STEP PARAM qwe LIST 1 3 5
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 83. Временные зависимости тока диода при подаче прямоугольного импульса напряжения
С ростом амплитуды прямого напряжения увеличивается как амплитуда прямого тока, так и время рассасывания накопленного заряда, т.е. снижается быстродействие диода.
Температурный анализ импульсных свойств диода
Параметры моделирования:
.TRAN 0 0.45ns 0 0.0001ns
.TEMP -60 27 125
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 84. Ток диода при различных температурах
С ростом температуры увеличивается время жизни неосновных носителей, заряда инжектированных в базу диода, поэтому увеличивается и время восстановления обратного сопротивления диода. С ростом частоты и температуры ухудшаются динамические свойства диода.
Читайте также
Проектирование устройства автоматической компенсации доплеровской частоты для СДЦ РЛС 5Н84А
Широкое
применение радиолокационной техники в военных целях (воздушная и наземная
разведки, навигация, вывод на траекторию ракет различного назначения) вызвало в
последние годы бурное р ...
Проект участка сети доступа по технологии PON г. Новосибирска
Современное
общество - информационное общество. Жизнь и деятельность человека неразрывно
связана с информацией, ее хранением, передачей и обработкой, Объем данных
передаваемых по канала ...
Проект оконечной ОС на базе системы DX200
Современное состояние и перспективные планы развития Единой Сети
Электросвязи (ЕСЭ) Российской Федерации характеризуются широким внедрением
цифровых технологий и оборудования цифровых си ...