На гармоническом сигнале
Рис. 79. Схема моделирования зависимости тока диода от частоты и температуры.
Временная зависимость тока через диод
Параметры моделирования:
.TRAN 0 0.01u 0 0.0001u
.STEP PARAM qwe LIST 1 5 10 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 80. Временная зависимость тока через диод от амплитуды выпрямляемого напряжения
С ростом амплитуды выпрямляемого напряжения увеличивается инжектированный в базу диода заряд, на рассасывание которого требуется больше времени, поэтому с ростом амплитуды прямого напряжения увеличивается время восстановления обратного сопротивления диода.
Зависимость динамических свойств диода от температуры
Параметры моделирования:
.TRAN 0 0.01u 0 0.0001u
.TEMP -60 27 125
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 81. Влияние температуры на динамические свойства диода
Так как с ростом температуры увеличивается время жизни неосновных носителей, заряда инжектированных в базу диода, то увеличивается и время восстановления обратного сопротивления диода. С ростом частоты и температуры ухудшаются динамические свойства диода.
На импульсном сигнале
Рис. 82. Схема моделирования переключательных свойств диода
Параметры моделирования:
.TRAN 0 0.45ns 0 0.0001ns
.STEP PARAM qwe LIST 1 3 5
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 83. Временные зависимости тока диода при подаче прямоугольного импульса напряжения
С ростом амплитуды прямого напряжения увеличивается как амплитуда прямого тока, так и время рассасывания накопленного заряда, т.е. снижается быстродействие диода.
Температурный анализ импульсных свойств диода
Параметры моделирования:
.TRAN 0 0.45ns 0 0.0001ns
.TEMP -60 27 125
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 84. Ток диода при различных температурах
С ростом температуры увеличивается время жизни неосновных носителей, заряда инжектированных в базу диода, поэтому увеличивается и время восстановления обратного сопротивления диода. С ростом частоты и температуры ухудшаются динамические свойства диода.
Читайте также
Проектирование дискретного устройства
На современном этапе развития транспорта наблюдается бурный рост темпов и
объемов перевозок, особенно на железнодорожном транспорте в силу высокой
скорости и невысокой стоимости грузопер ...
Нанотехнологии в науке и технике
В течение тысячелетий человек использовал в быту и технике
макроскопические тела, состоящие из большого числа атомов, будь это каменный
топор или авиалайнер. Первая научно- ...
Основы статистической теории радиолокации
Если
о сигнале все известно , то нет необходимости в его приеме, если о нем ничего
не известно, то его невозможно отличить от помех, и прием его невозможен.
Поэтому,
...