Динамические характеристики диода

На гармоническом сигнале

Рис. 79. Схема моделирования зависимости тока диода от частоты и температуры.

Временная зависимость тока через диод

Параметры моделирования:

.TRAN 0 0.01u 0 0.0001u

.STEP PARAM qwe LIST 1 5 10 20

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 80. Временная зависимость тока через диод от амплитуды выпрямляемого напряжения

С ростом амплитуды выпрямляемого напряжения увеличивается инжектированный в базу диода заряд, на рассасывание которого требуется больше времени, поэтому с ростом амплитуды прямого напряжения увеличивается время восстановления обратного сопротивления диода.

Зависимость динамических свойств диода от температуры

Параметры моделирования:

.TRAN 0 0.01u 0 0.0001u

.TEMP -60 27 125

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 81. Влияние температуры на динамические свойства диода

Так как с ростом температуры увеличивается время жизни неосновных носителей, заряда инжектированных в базу диода, то увеличивается и время восстановления обратного сопротивления диода. С ростом частоты и температуры ухудшаются динамические свойства диода.

На импульсном сигнале

Рис. 82. Схема моделирования переключательных свойств диода

Параметры моделирования:

.TRAN 0 0.45ns 0 0.0001ns

.STEP PARAM qwe LIST 1 3 5

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 83. Временные зависимости тока диода при подаче прямоугольного импульса напряжения

С ростом амплитуды прямого напряжения увеличивается как амплитуда прямого тока, так и время рассасывания накопленного заряда, т.е. снижается быстродействие диода.

Температурный анализ импульсных свойств диода

Параметры моделирования:

.TRAN 0 0.45ns 0 0.0001ns

.TEMP -60 27 125

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 84. Ток диода при различных температурах

С ростом температуры увеличивается время жизни неосновных носителей, заряда инжектированных в базу диода, поэтому увеличивается и время восстановления обратного сопротивления диода. С ростом частоты и температуры ухудшаются динамические свойства диода.

Читайте также

Моделирование радиомаячной системы посадки метрового диапазона с помощью программы Micro-Cap
Функциональные возможности использования авиации во многом определяются качеством решения задач навигации, в частности, уровнем развития устройств и систем радионавигации. Под термино ...

Разработка локальной сети предприятия (на материалах ОАОТ Дабрабыт)
Локальная вычислительная сеть(Local Area Network), именуемая в дальнейшем LAN, - это совокупность компьютеров и других средств вычислительной техники (активного сетевого оборудования, пр ...

Монтаж и регулировка шестиканальной цветомузыкальной приставки
Основным направлением развития радиоэлектронной промышленности является создание высокотехнологической радиоэлектронной аппаратуры на основе четкой организации производства, использован ...