Полевые транзисторы с p-n переходом в качестве затвора

Передаточная характеристика p-канального полевого транзистора

Рис. 64. Схема моделирования передаточной характеристики p-канального полевого транзистора с p-n переходом в качестве затвора

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V1 0 20 0.0001

.STEP V_V2 LIST 5 10

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 65. Передаточная характеристика p-канального полевого транзистора с p-n переходом в качестве затвора при разных напряжениях на стоке

С ростом напряжения увеличивается дрейфовая скорость носителей зарядов в канале, следовательно, возрастает и ток.

Выходная характеристика p-канального полевого транзистора

Рис. 66. Схема моделирования выходной характеристики p-канального полевого транзистора с p-n переходом в качестве затвора

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V2 0 10 0.001

.STEP V_V1 LIST 0.5 1 1.5

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 67. График выходной характеристики p-канального полевого транзистора с p-n переходом в качестве затвора при разных напряжениях на затворе

С ростом обратного напряжения на p-n переходе затвора увеличивается ширина объёмного заряда p-n перехода, следовательно, снижается сечение проводящего канала, растет его сопротивление и протекающий по каналу ток.

Температурная зависимость выходной характеристики p-канального полевого транзистора

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V2 0 10 0.001

.TEMP -60 27 125

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 68. Температурная зависимость выходной характеристики p-канального полевого транзистора с p-n переходом в качестве затвора при разных напряжениях на затворе

Рост температуры приводит к снижению подвижности носителей заряда в канале и как следствие к уменьшению тока стока.

Читайте также

Проектирование двухвходовой КМОП-схемы дешифратора 2 в 4
КМОП (комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) - технология построения электронных схем. В те ...

Проектирование спутниковой линии связи между городом Якутск и поселком Черский
Стремительное развитие космонавтики, успехи в изучении и исследовании околоземного и межпланетного космического пространства выявили весьма высокую эффективность использования околоз ...

Организация сети широкополосного доступа Комсомольского микрорайона г. Краснодара
Сегодня потребность пользователей Интернет в передаче большого объема данных на высокой скорости стремительно растет. Это связано с увеличением качества используемых данных, и как резул ...