Передаточная характеристика p-канального полевого транзистора
Рис. 64. Схема моделирования передаточной характеристики p-канального полевого транзистора с p-n переходом в качестве затвора
Параметры моделирования:
.DC LIN V_V1 0 20 0.0001
.STEP V_V2 LIST 5 10
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 65. Передаточная характеристика p-канального полевого транзистора с p-n переходом в качестве затвора при разных напряжениях на стоке
С ростом напряжения увеличивается дрейфовая скорость носителей зарядов в канале, следовательно, возрастает и ток.
Выходная характеристика p-канального полевого транзистора
Рис. 66. Схема моделирования выходной характеристики p-канального полевого транзистора с p-n переходом в качестве затвора
Параметры моделирования:
.DC LIN V_V2 0 10 0.001
.STEP V_V1 LIST 0.5 1 1.5
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 67. График выходной характеристики p-канального полевого транзистора с p-n переходом в качестве затвора при разных напряжениях на затворе
С ростом обратного напряжения на p-n переходе затвора увеличивается ширина объёмного заряда p-n перехода, следовательно, снижается сечение проводящего канала, растет его сопротивление и протекающий по каналу ток.
Температурная зависимость выходной характеристики p-канального полевого транзистора
Параметры моделирования:
.DC LIN V_V2 0 10 0.001
.TEMP -60 27 125
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 68. Температурная зависимость выходной характеристики p-канального полевого транзистора с p-n переходом в качестве затвора при разных напряжениях на затворе
Рост температуры приводит к снижению подвижности носителей заряда в канале и как следствие к уменьшению тока стока.
Читайте также
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование
В
данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования
для изучения характеристик традиционных полупроводник ...
Одномодовые оптические волокна
В одномодовых оптических волокнах (SM ОВ) диаметр сердцевины соизмерим с длиной волны, и за счет
этого в нем существует только одна основная направляемая мода LP01.
Рис. 1. Р ...
Применение пространственной фильтрации для улучшения радиоголографических изображений объектов, находящихся за препятствиями
В настоящее время активно развивается раздел науки, посвященный
радиовидению. Это связано с тем, что радиовидение может найти свое применение в
широкой сфере деятельности человека для об ...