Расчет диодных балансных смесителей

Потери моста , развязка изолированного плеча , КСВ входных плеч моста

Выходное сопротивление БС: Ом.

Потери преобразования БС равны

Lбс=Lд+Lм=6+0,27=6,27 дБ

Коэффициент шума БС рассчитываем по формуле:

где - шумовое число диода, - потери БС (разы).

Необходимая мощность гетеродина равна:

мВт.

Частота гетеродина:

ГГц.

После расчетов можно приступить к разработке топологической схемы БС.

Топологическая схема балансного диодного смесителя на квадратном мосте

В схему БС необходимо добавить короткозамкнутый шлейф, длиной , для замыкания постоянной составляющей токов диодов и высокочастотные дроссели, шлейфы длиной для блокировки токов СВЧ на входе УПЧ.

.4 Усилитель промежуточной частоты

Для снижения коэффициента шума приёмника рационально после диодного преобразователя включать малошумящие каскады УПЧ, благодаря использованию в них малошумящих транзисторов, подбору режима их работы и специфическому построению цепи, соединяющий вход УПЧ с выходом преобразователя частоты.

Выбираем для УПЧ транзистор КТ364Б, имеющий высокую fY21 и малый уровень шума. Транзистор КТ364Б имеет следующие параметры:

tк = r × Ск=15 пс,

Ск=1,7 пФ,

fгр=1200 МГц,

Uк = 5 В,

Iк = 3 мА,

fп = 30 МГц,

h21=50…300.

Где tк = r’ Ск - постоянная времени цепи обратной связи ;

Ск - ёмкость коллектора, fгр - предельная частота усиления тока в схеме с ОЭ;

fп - промежуточная частота.

Рассчитываем дополнительные параметры транзистора.

h21э = bо = 40 - коэффициент усиления тока базы в схеме с ОЭ.

- сопротивление эмиттерного перехода,

rб = tк/Ск = 15/1,7 = 8,8 Ом - сопротивление базы.

входное сопротивление транзисторов с ОБ на низкой частоте.

граничная частота крутизны характеристики в схеме с ОЭ. Т.к. fY21> 3fп, где fп = 30МГц то транзистор пригоден для использования в УПЧ.

Рассчитываем Y- параметры транзистора.

прямая взаимная проводимость (крутизна) по модулю.

Читайте также

Проектирование аппаратного обеспечения одноплатных микроконтроллеров
Задание: В заданной РЭС осуществить управляющую функцию по одному из заданных параметров с помощью контроллера, построенного на МПК, разработать электрическую принципиальную схему проект ...

Последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией
Прежде чем начать изложение основного материала моей курсовой работы, стоит ввести определения некоторых понятий, которые в дальнейшем будут широко использоваться в данной работе. Инт ...

Принцип работы оптоволоконных сканеров отпечатков пальцев
Идентификация по отпечаткам пальцев - на сегодня самая распространенная биометрическая технология. По данным International Biometric Group, доля систем распознавания по отпечаткам пальце ...