Потери моста , развязка изолированного плеча , КСВ входных плеч моста
Выходное сопротивление БС: Ом.
Потери преобразования БС равны
Lбс=Lд+Lм=6+0,27=6,27 дБ
Коэффициент шума БС рассчитываем по формуле:
где - шумовое число диода, - потери БС (разы).
Необходимая мощность гетеродина равна:
мВт.
Частота гетеродина:
ГГц.
После расчетов можно приступить к разработке топологической схемы БС.
Топологическая схема балансного диодного смесителя на квадратном мосте
В схему БС необходимо добавить короткозамкнутый шлейф, длиной , для замыкания постоянной составляющей токов диодов и высокочастотные дроссели, шлейфы длиной для блокировки токов СВЧ на входе УПЧ.
.4 Усилитель промежуточной частоты
Для снижения коэффициента шума приёмника рационально после диодного преобразователя включать малошумящие каскады УПЧ, благодаря использованию в них малошумящих транзисторов, подбору режима их работы и специфическому построению цепи, соединяющий вход УПЧ с выходом преобразователя частоты.
Выбираем для УПЧ транзистор КТ364Б, имеющий высокую fY21 и малый уровень шума. Транзистор КТ364Б имеет следующие параметры:
tк = r × Ск=15 пс,
Ск=1,7 пФ,
fгр=1200 МГц,
Uк = 5 В,
Iк = 3 мА,
fп = 30 МГц,
h21=50…300.
Где tк = r’ Ск - постоянная времени цепи обратной связи ;
Ск - ёмкость коллектора, fгр - предельная частота усиления тока в схеме с ОЭ;
fп - промежуточная частота.
Рассчитываем дополнительные параметры транзистора.
h21э = bо = 40 - коэффициент усиления тока базы в схеме с ОЭ.
- сопротивление эмиттерного перехода,
rб = tк/Ск = 15/1,7 = 8,8 Ом - сопротивление базы.
входное сопротивление транзисторов с ОБ на низкой частоте.
граничная частота крутизны характеристики в схеме с ОЭ. Т.к. fY21> 3fп, где fп = 30МГц то транзистор пригоден для использования в УПЧ.
Рассчитываем Y- параметры транзистора.
прямая взаимная проводимость (крутизна) по модулю.
Читайте также
Оценка производительности каналов и мониторинг корпоративной сети
В последнее время всё чаще документооборот и передача корпоративной
информации совершается в электронном виде тем или иным способом. Для этого уже
существует множество протоколов и метод ...
Построение внутренней памяти процессорной системы, состоящей из ПЗУ и статического ОЗУ
Построить внутреннюю память процессорной системы, состоящую из ПЗУ и
статического ОЗУ. Процессорная система работает в реальном режиме.
Разрядность ША - 20, ШД - 8.
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ: ...
Обучающая подсистема для лабораторного исследования характеристик замкнутых САУ в среде интернет
В последние десятилетия в зарубежных системах образования
произошли существенные изменения, обусловленные бурным развитием
научно-технического прогресса и его воздейст ...