Принципиальная электрическая схема БС
Схема балансного диодного смесителя.
Выбираем подложку из поликора (
,
) толщиной ![]()
. Для проводников применяем золото ![]()
.
Выбираем смесительные диоды с барьером Шотки типаАА112Б. Находим
дБ;
;
Ом.
Расчет начинаем с проектирования СВЧ моста.
Определяем волновое сопротивление для основной линии:
для шлейфов:
![]()
Ширина полоски основной линии
и шлейфа
:
мм
мм
Эффективная диэлектрическая проницаемость :
Для основной линии
; для шлейфов
.
Длину четвертьволновых отрезков основной линии
и шлейфов
находим по формуле:
,
где
- длина волны в воздухе:
;
Рассчитаем потери моста, для чего вычислим потери проводимости и диэлектрические потери в основной линии и шлейфах моста.
Толщина скин-слоя в проводниках:
Поверхностное сопротивление проводника:
Погонные потери проводимости находим по формуле для основной линии и шлейфов соответственно:
Потери проводимости отрезка основной линии и шлейфа соответственно:
.
Погонные диэлектрические потери в подложке МПЛ
,
![]()
![]()
Диэлектрические потери в основной линии и шлейфе:
дБ
дБ
Полные потери основной линии и шлейфа
Читайте также
Разработка макета для исследования металлических проводниковых материалов
Автоматизация
производства процесс в развитии машинного производства, при котором часть или
весь комплекс операций по качественному преобразованию состояния исходного
сырья, управлению ...
Проектирование устройства автоматической компенсации доплеровской частоты для СДЦ РЛС 5Н84А
Широкое
применение радиолокационной техники в военных целях (воздушная и наземная
разведки, навигация, вывод на траекторию ракет различного назначения) вызвало в
последние годы бурное р ...
Проектирование двухвходовой КМОП-схемы дешифратора 2 в 4
КМОП
(комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS,
Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) - технология построения
электронных схем. В те ...