Частотные характеристики

Рис. 26. Схема моделирования частотных свойств биполярного p-n-p транзистора

Помимо моделирования частотных свойств схемы с общим эмиттером из моделирования этой же схемы можно также получить и частотные свойства схемы с общей базой.

В схеме с общей базой

Параметры моделирования:

.AC LIN 1000 10 20Meg

.STEP I_I1 LIST 10u 20u 50u

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 27. Частотная зависимость коэффициента передачи биполярного p-n-p транзистора при разных токах базы в схеме с общей базой

С ростом частоты растёт шунтирующее действие барьерных ёмкостей p-n перехода и в токе эмиттера возрастает не связанная с усилительными свойствами транзистора ёмкостная составляющая тока эмиттера, поэтому усилительные свойства транзистора ухудшаются. С ростом тока базы усиливается действие поля, создаваемого подвижными носителями заряда, ускоряющее движение неосновных носителей заряда. Вследствие этого время пролёта через базу уменьшается, уменьшается рекомбинация в базе и до коллектора доходит большее число неосновных носителей заряда.

Параметры моделирования:

.AC LIN 1000 10 20Meg

.STEP V_V1 LIST 1 5 20

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 28. Частотная зависимость коэффициента передачи по току биполярного p-n-p транзистора при разных напряжениях коллектора в схеме с общей базой

При увеличении напряжения на коллекторе расширяется коллекторный переход, т.е. уменьшается толщина нейтральной базы, что приводит к увеличению коэффициента передачи.

В схеме с общим эмиттером

Параметры моделирования:

.AC LIN 1000 10 20Meg

.STEP I_I1 LIST 10u 20u 50u

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 29. Частотная зависимость коэффициента передачи тока базы в зависимости от выбора рабочей точки (постоянной составляющей тока базы) в схеме с общим эмиттером

В схеме с общим эмиттером проявляются те же эффекты, что и в схеме с общей базой. Поэтому влияние рабочих токов и коллекторного напряжения подобны ранее приведённым.

Параметры моделирования:

.AC LIN 1000 10 20Meg

.STEP V_V1 LIST 1 5 20

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 30. Частотная зависимость коэффициента передачи при разных напряжениях коллектора в схеме с общим эмиттером

Параметры моделирования:

.AC LIN 1000 10 20Meg

.STEP V_V1 LIST 1 5 20

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 31. Частотная зависимость коэффициентов передачи в схемах с общей базой и общим эмиттером

Читайте также

Основные принципы и задачи по организации технической эксплуатации ВОЛП
Техническую эксплуатацию линейно-кабельных сооружений магистральной и внутризоновых первичных сетей Российской Федерации организуют Минсвязи РФ и центры технической эксплуатации в соотв ...

Разработка конструкции линейного коммутатора
Радиоэлектронная аппаратура (РЭА), в основу функционирования которой положены принципы электроники, строится на базе электронных компонентов различного назначения (микросхем, резисторов, ...

Проектирование системы автоматического управления очистки стекла спортивного самолета
Задачи по управлению тем или иным явлением или процессом, возникающие в повседневной практической деятельности человека обширны и многообразны. Управление можно определить как совоку ...