Частотные характеристики

Рис. 26. Схема моделирования частотных свойств биполярного p-n-p транзистора

Помимо моделирования частотных свойств схемы с общим эмиттером из моделирования этой же схемы можно также получить и частотные свойства схемы с общей базой.

В схеме с общей базой

Параметры моделирования:

.AC LIN 1000 10 20Meg

.STEP I_I1 LIST 10u 20u 50u

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 27. Частотная зависимость коэффициента передачи биполярного p-n-p транзистора при разных токах базы в схеме с общей базой

С ростом частоты растёт шунтирующее действие барьерных ёмкостей p-n перехода и в токе эмиттера возрастает не связанная с усилительными свойствами транзистора ёмкостная составляющая тока эмиттера, поэтому усилительные свойства транзистора ухудшаются. С ростом тока базы усиливается действие поля, создаваемого подвижными носителями заряда, ускоряющее движение неосновных носителей заряда. Вследствие этого время пролёта через базу уменьшается, уменьшается рекомбинация в базе и до коллектора доходит большее число неосновных носителей заряда.

Параметры моделирования:

.AC LIN 1000 10 20Meg

.STEP V_V1 LIST 1 5 20

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 28. Частотная зависимость коэффициента передачи по току биполярного p-n-p транзистора при разных напряжениях коллектора в схеме с общей базой

При увеличении напряжения на коллекторе расширяется коллекторный переход, т.е. уменьшается толщина нейтральной базы, что приводит к увеличению коэффициента передачи.

В схеме с общим эмиттером

Параметры моделирования:

.AC LIN 1000 10 20Meg

.STEP I_I1 LIST 10u 20u 50u

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 29. Частотная зависимость коэффициента передачи тока базы в зависимости от выбора рабочей точки (постоянной составляющей тока базы) в схеме с общим эмиттером

В схеме с общим эмиттером проявляются те же эффекты, что и в схеме с общей базой. Поэтому влияние рабочих токов и коллекторного напряжения подобны ранее приведённым.

Параметры моделирования:

.AC LIN 1000 10 20Meg

.STEP V_V1 LIST 1 5 20

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 30. Частотная зависимость коэффициента передачи при разных напряжениях коллектора в схеме с общим эмиттером

Параметры моделирования:

.AC LIN 1000 10 20Meg

.STEP V_V1 LIST 1 5 20

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 31. Частотная зависимость коэффициентов передачи в схемах с общей базой и общим эмиттером

Читайте также

Проектирование междугородной магистрали между г. Кемерово – г. Лениск-Кузнецкий с использованием симметричного кабеля
Наше время, в особенности последние десять лет, характеризуется бурным развитием телекоммуникационных технологий. Наряду с появлением новых форм передачи информации, совершенствуются тра ...

Проектирование и разработка интернет-магазина Компьютерная техника
Разработка сайтов для компаний является актуальной и востребованной сферой деятельности, т.к. сайт фирмы в сети Интернет представляет собой достаточно дешевый и массовый способ рекл ...

Разработка микропроцессорного контроллера для контроля ритма дыхания больного
В последнее время микропроцессорные средства вычислительной технике стало широко применяться в приборах бытовой техники, различных контрольно-измерительных устройствах, системах управлен ...