а) параметры внешних элементов
Для расчёта необходимы параметры внешних элементов. Параметры воздушных линий представлены в таблице.
Параметры воздушных линий
№ЛЭП |
Длина, км |
Тип провода |
Х0, Ом/км |
Х, собственное, Ом |
Х, приведённое к 110 кВ, Ом |
1 |
17 |
АСО500 |
0,413 |
7,021 |
0,10325 |
2 |
69 |
АС 500 |
0,413 |
28,497 |
7,1243 |
3 |
58,2 |
АС 300 |
0,429 |
24,968 |
6,242 |
4 |
61,1 |
АС 300 |
0,429 |
26,212 |
6,553 |
5 |
11,7 |
АС 120 |
0,427 |
4,9959 |
4,9959 |
6 |
12,7 |
АС 120 |
0,427 |
5,4229 |
5,4229 |
7 |
106,2 |
АСО300 |
0,429 |
45,56 |
11,39 |
8 |
118,3 |
АС 120 |
0,427 |
50,514 |
50,514 |
9 |
64,24 |
АС 120 |
0,427 |
27,43 |
27,43 |
Параметры силовых трансформаторов будут рассчитаны по формуле (14):
· для трансформаторов СарГЭС (Т1 - Т7) имеем
· для трансформаторов ТЭЦ 3 имеем
· для трансформаторов БАЭС (Т1 - Т8) имеем
· для автотрансформаторов АТ1, АТ2, АТ3 имеем
(17)
Параметры генераторов электрических станций рассчитаем по следующим формулам:
(18)
Исходные данные для расчёта приведены в таблице.
Исходные данные для расчёта параметров генераторов
Станция |
Номинальная мощность, МВт |
Полная мощность, МВА |
cosφ |
Номинальное напряжение, кВ |
Хd//, о.е. |
СарГЭС |
97,14 |
121,43 |
0,8 |
13,8 |
0,22 |
ТЭЦ 3 |
40,4 |
50,5 |
0,8 |
6,3 |
0,189 |
БАЭС |
1000 |
1111,1 |
0,9 |
24 |
0,3 |
Читайте также
Назначение и виды ударно-контактных извещателей
Извещатели
ударно-контактные формируют тревожное извещение при
нормированном ударном воздействии на контролируемую поверхность охраняемого
объекта. Они предназначены для обнаружения раз ...
Поверка электронного вольтметра В7-26 по напряжению постоянного тока
Считается, что первый вольтметр изобрел М. Фарадей, причем в 1830
году, ещё за год до того, как он же открыл явление электромагнитной индукции,
на котором основано действие целого класса ...
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование
В
данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования
для изучения характеристик традиционных полупроводник ...