Выбор гетеродина, формирование требований к нему обоснование способа связи с узлами приемника

Ранее мы выбрали в качестве преобразователя балансный транзисторный преобразователь в интегральном исполнении (ИС типа NE602). Основными особенностями преобразователя является подавление колебаний с частотой гетеродина в выходных цепях и меньший, чем у однотранзисторных преобразователей, коэффициент шума. Схема преобразователя показана на рис. 5.1. Смеситель выполнен на дифференциальных усилителях (т.н. ячейка Гилберта). Гетеродин выполнен на отдельном транзисторе. Сигнал гетеродина через буферный каскад поступает на базы транзисторов дифференциальных усилителей. В общей эмиттерной цепи включены транзисторы, на базы которых поступает входной сигнал. Сигнал подается в контрфазах на эмиттеры, а гетеродин - в фазе на базы транзисторов дифференциальных усилителей. Нагрузка, настроенная на промежуточную частоту, включается между коллекторами. Условием отсутствия колебаний гетеродина на выходной обмотке является симметрия схемы. При этом условии в цепи средней точки отсутствуют токи сигнала и промежуточной частоты, что устраняет возможность затягивания и срыва колебаний гетеродина. Буферный каскад создает в цепях баз дифференциального усилителя глубокую отрицательную обратную связь, что практически устраняет напряжение гетеродина на базах, улучшает линейность смесителя и уменьшает паразитное излучение гетеродина.

Рис. 5.1

Определим параметры контура гетеродина

Расчет параметров контура гетеродина и кривой сопряжения можно вести несколькими способами. Однако эти расчеты представляют довольно трудоемкую задачу, поэтому целесообразно выполнить их на ПЭВМ. Ниже приводится программа расчета контура гетеродина и кривой сопряжения, в которую вводят следующие исходные данные: fс mах и fс min - граничные частоты сигнального контура, fпр - промежуточная частота, С0 - параллельная емкость схемы сигнального контура, LK - индуктивность сигнального контура. Программа предусматривает выдачу значений С1 (последовательного конденсатора), С2 (параллельного конденсатора), Lг - индуктивности гетеродина, а также вычисление и построение кривой сопряжения.

REM ПРОГРАММА 'СОПРЯЖЕНИЕ'100E6, 108E6, 21E6, 19E-12, 29E-6

OPEN "GETER.TXT" FOR OUTPUT AS #1FMIN, FMAX, FPR#1, FMIN, FMAX, FPRCP, L#1, CP, L= (FMAX + FMIN) / 2= SQR(3) / 4= FMAX - FMIN#1, R, FF= F2 - R * FF= F2 + R * FF#1, F1, F2, F3

HF = (FMAX - FMIN) / 50= 25300 / (F1 ^ 2 * L) - CP

A = 1 / (F1 + FPR) ^ 2#1, A= 25300 / (F2 ^ 2 * L) - CP= 1 / (F2 + FPR) ^ 2#1, C2, B= 25300 / (F3 ^ 2 * L) - CP= 1 / (F3 + FPR) ^ 2#1, C3, G= (A - B) / (B - G)

CG1 = (C2 * (T * C1 + C3) - C1 * C3 * (1 + T)) / (C1 + T * C3 - C2 * (1 + T))

GA = (G - A) * 25300= GA * (CG1 + C1) * (CG1 + C3) / (CG1 ^ 2 * (C3 - C1))= A * 25300 / LG - CG1 * C1 / (CG1 + C1)#1, "СПОСЛ =", CG1, "СПАР =", CG2, "LГЕТ=", LG= 1.51= FMIN + (K - 1) * HF= 25300 / (FS ^ 2 * L) - CP= 159 / (SQR((CG2 + CG1 * CK / (CGI + CK)) * LG))

DF(K) = (FG - FS - FPR) * 1000

PRINT #1, (DF(K))

Результат работы программы:

1E+08 1.08E+08 2.1E+07

.9E-11 .000029

.4330127 8000000

.005359E+08 1.04E+08 1.074641E+08

.770035E-17

.064055E-08 6.4E-17

.552425E-08 6.059495E-17

СПОСЛ = 5.598816E-09

СПАР = 3.578077E-11

LГЕТ= 2.186154E-05

.577878E+10

Принимаем значения емкостей С7 = СПАР = 36 пФ, С10 = СПОСЛ = 5600 пФ, индуктивность контура гетеродина LГЕТ = 21,9 мкГн.

Читайте также

Последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией
Прежде чем начать изложение основного материала моей курсовой работы, стоит ввести определения некоторых понятий, которые в дальнейшем будут широко использоваться в данной работе. Инт ...

Применение МПК в системах передачи информации
Каждое из трех предшествующих столетий ознаменовалось появлением какой-то технологии, развитие которой определяло прогресс в этом столетии. 18 век - механические системы, 19 - паровые ма ...

Проектирование модуля управления трехфазным асинхронным двигателем
В настоящее время создано множество схем управления двигателями переменного напряжения. При этом делается большой акцент на применение в этих схемах специальных унифицированных микросхем ...