Рис. 56. Схема моделирования передаточной характеристики полевого МДП транзистора с индуцированным p-каналом
Параметры моделирования:
.DC LIN V_V1 0 7 0.01
.STEP V_V2 LIST 0 3 5 10
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 57. График передаточной характеристики полевого МДП транзистора с индуцированным p-каналом
Из графика видно, что пороговое напряжение данного полевого транзистора составляет 2.4 В.
Передаточная характеристика транзистора с встроенным p- каналом
Рис. 58. Схема моделирования передаточной характеристики полевого МДП транзистора со встроенным p-каналом
Параметры моделирования:
.DC LIN V_V1 0 -5 -0.001
.STEP V_V2 LIST 5 10
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 59. Передаточная характеристика полевого МДП транзистора со встроенным p-каналом
Из рисунка видно, что для данного транзистора напряжение отсечки канала составляет -1.5 В.
Выходная характеристика транзистора с индуцированным p-каналом
Рис. 60. Схема моделирования полевого выходной ВАХ p-канального МДП транзистора
Параметры моделирования:
.DC LIN V_V2 0.01 100 0.01
.STEP V_V1 LIST 0 5 6 7 8 9
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 61. График выходной ВАХ МДП полевого транзистора M2N6806
Температурная зависимость передаточных характеристик МДП транзистора с p и n каналами
Рис. 62. Схема моделирования температурных зависимостей передаточных характеристик МДП полевых транзисторов с n и p каналами
Параметры моделирования:
.DC LIN V_V1 -4 7 0.001
.TEMP -60 125
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 63. График температурных зависимостей передаточных характеристик МДП полевых транзисторов с n и p каналами
С ростом температуры падает подвижность носителей зарядов из-за увеличения тепловых колебаний решётки, а их концентрация с ростом температуры увеличивается.
Читайте также
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование
В
данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования
для изучения характеристик традиционных полупроводник ...
Проект внутризоновой ВОЛП на участке Новосибирск—Карасук
Научно-технический
прогресс во многом определяется скоростью передачи информации и ее объемом.
Возможность резкого увеличения объемов передаваемой информации наиболее полно
реализуется ...
Проектирование спутниковой линии связи между городом Якутск и поселком Черский
Стремительное развитие космонавтики, успехи в изучении и
исследовании околоземного и межпланетного космического пространства выявили
весьма высокую эффективность использования околоз ...