МДП полевые транзисторы

Рис. 56. Схема моделирования передаточной характеристики полевого МДП транзистора с индуцированным p-каналом

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V1 0 7 0.01

.STEP V_V2 LIST 0 3 5 10

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 57. График передаточной характеристики полевого МДП транзистора с индуцированным p-каналом

Из графика видно, что пороговое напряжение данного полевого транзистора составляет 2.4 В.

Передаточная характеристика транзистора с встроенным p- каналом

Рис. 58. Схема моделирования передаточной характеристики полевого МДП транзистора со встроенным p-каналом

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V1 0 -5 -0.001

.STEP V_V2 LIST 5 10

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 59. Передаточная характеристика полевого МДП транзистора со встроенным p-каналом

Из рисунка видно, что для данного транзистора напряжение отсечки канала составляет -1.5 В.

Выходная характеристика транзистора с индуцированным p-каналом

Рис. 60. Схема моделирования полевого выходной ВАХ p-канального МДП транзистора

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V2 0.01 100 0.01

.STEP V_V1 LIST 0 5 6 7 8 9

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 61. График выходной ВАХ МДП полевого транзистора M2N6806

Температурная зависимость передаточных характеристик МДП транзистора с p и n каналами

Рис. 62. Схема моделирования температурных зависимостей передаточных характеристик МДП полевых транзисторов с n и p каналами

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V1 -4 7 0.001

.TEMP -60 125

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 63. График температурных зависимостей передаточных характеристик МДП полевых транзисторов с n и p каналами

С ростом температуры падает подвижность носителей зарядов из-за увеличения тепловых колебаний решётки, а их концентрация с ростом температуры увеличивается.

Читайте также

Последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией
Прежде чем начать изложение основного материала моей курсовой работы, стоит ввести определения некоторых понятий, которые в дальнейшем будут широко использоваться в данной работе. Инт ...

Приемно-контрольная панель на базе микроконтроллера
Приемно-контрольные приборы (ПКП) осуществляют прием информации от извещателей, ее запоминание, обработку и передачу соответствующим службам, а также выполняют процедуры взятия под охра ...

Модернизация охранной сигнализации университета
Безопасность собственного имущества издревле была одной из главных забот человека. Для защиты от несанкционированного вторжения в жилище, хищения вещей и пожара человечество придумало не ...