Рассчитываем усилитель для ГИС СВЧ с параметрами:
- частота сигнала ГГц;
- полоса пропускания приемника кГц;
- избирательность преселектора по зеркальному каналу не менее дБ;
Волновое сопротивление подводящих линий МПЛ на входе и выходе усилителя 50 Ом.
Для реализации усилителя на частоте ГГц используем транзисторный усилитель как наиболее простой. Заданную избирательность преселектора
дБ обеспечим применением двух полосовых фильтров СВЧ на входе усилителя (входная цепь) и на его выходе с избирательностью по зеркальному каналу по 30дБ на каждый фильтр.
Выбираем для усилителя схему с общим эмиттером на биполярном транзисторе VT1 КТ391 схема с ОЭ в типовом режиме мА,
В.
Из таблицы находим S - параметры транзистора (на частоте ГГц):
,
,
,
,
,
,
Проверяем выполнение условий:
;
;
;
;
Поскольку , транзистор находится в области ОПУ. Для перевода его в область ОБУ используем стабилизирующее сопротивление:
Находим величину стабилизирующего сопротивления:
Ом
Пересчитаем S - параметры транзистора с учетом
Предварительно находим:
;
Пересчитанные S - параметры транзистора равны:
Читайте также
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Разработать
конструкцию и выбрать технологический процесс изготовления диффузионного резистора
в составе ИМС. Программа выпуска - 50000 шт. в год. Выпуск ежемесячный.
Параметры
...
Проектирование сетевого оборудования NGN
В настоящее время всё чаще встречаются публикации, посвящённые коренному
преобразованию ТфОП и переходу к сети следующего поколения (NGN). Она позиционируется как
универсальная сеть, спо ...
Проектирование модуля управления трехфазным асинхронным двигателем
В настоящее время создано множество схем
управления двигателями переменного напряжения. При этом делается большой акцент
на применение в этих схемах специальных унифицированных микросхем ...