Импульсные характеристики

В схеме с общей базой

Рис. 32. Схема моделирования работы биполярного транзистора на импульсах

Параметры моделирования:

.TRAN 0 0.5u 0 0.001u

.STEP PARAM Ie LIST 10m 100m

.TEMP 125

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 33. График зависимости тока коллектора как функции времени при разных токах эмиттера

С ростом тока эмиттера возрастает количество инжектированных в базу транзистора неосновных носителей заряда, что увеличивает время их рассасывания.

В схеме с общим эмиттером

Рис. 34. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Параметры моделирования:

.TRAN 0 9u 0 0.001u

.STEP PARAM qwe LIST 500u 1m 2m 5m

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 35. Импульсные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

С ростом тока базы возрастает количество инжектированных в базу транзистора неосновных носителей заряда, что увеличивает время их рассасывания. Как видно из рисунка в режиме насыщения коллекторный ток не зависит от тока базы.

Параметры моделирования:

.TRAN 0 9u 0 0.001u

.TEMP -60 27 125

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 36. Зависимость импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером от температуры

С ростом температуры увеличивается время жизни неосновных носителей заряда что приводит к увеличению времени рассасывания накопленного заряда, т.е. к снижению быстродействия транзистора.

Схема с диодом Шоттки

Диод Шоттки - это полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на использовании выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником.

Рис. 37. Схема моделирования биполярного транзистора с диодом Шоттки

Параметры моделирования:

.TRAN 0 9u 0 0.01u

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 38. Импульсные свойства биполярного транзистора с диодом Шоттки

Диод Шоттки шунтирует коллекторный переход транзистора, уменьшая степень (глубину) насыщения, что увеличивает быстродействие импульсной схемы при её выключении.

Читайте также

Проектирование радиоприемного устройства с учетом научно-технического прогресса
Радиоприемное устройство является частью системы передачи сообщений, использующей для этого энергию радиоволн. Оно предназначено для улавливания, преобразования и использования электрома ...

Основы телефонной коммутации
История освоения направления телекоммуникационного оборудования началась в далеком 1992г., когда на развалинах Советского Союза небольшая группа инженеров-энтузиастов во главе с будущим ...

Моделирование мобильных систем связи
При организации сети сотовой связи для определения оптимального места установки и числа базовых станций, а также для решения других задач необходимо уметь рассчитывать характеристики сиг ...