В схеме с общей базой
Рис. 32. Схема моделирования работы биполярного транзистора на импульсах
Параметры моделирования:
.TRAN 0 0.5u 0 0.001u
.STEP PARAM Ie LIST 10m 100m
.TEMP 125
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 33. График зависимости тока коллектора как функции времени при разных токах эмиттера
С ростом тока эмиттера возрастает количество инжектированных в базу транзистора неосновных носителей заряда, что увеличивает время их рассасывания.
В схеме с общим эмиттером
Рис. 34. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.001u
.STEP PARAM qwe LIST 500u 1m 2m 5m
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 35. Импульсные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
С ростом тока базы возрастает количество инжектированных в базу транзистора неосновных носителей заряда, что увеличивает время их рассасывания. Как видно из рисунка в режиме насыщения коллекторный ток не зависит от тока базы.
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.001u
.TEMP -60 27 125
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 36. Зависимость импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером от температуры
С ростом температуры увеличивается время жизни неосновных носителей заряда что приводит к увеличению времени рассасывания накопленного заряда, т.е. к снижению быстродействия транзистора.
Схема с диодом Шоттки
Диод Шоттки - это полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на использовании выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником.
Рис. 37. Схема моделирования биполярного транзистора с диодом Шоттки
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.01u
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 38. Импульсные свойства биполярного транзистора с диодом Шоттки
Диод Шоттки шунтирует коллекторный переход транзистора, уменьшая степень (глубину) насыщения, что увеличивает быстродействие импульсной схемы при её выключении.
Читайте также
Поверка электронного вольтметра В7-26 по напряжению постоянного тока
Считается, что первый вольтметр изобрел М. Фарадей, причем в 1830
году, ещё за год до того, как он же открыл явление электромагнитной индукции,
на котором основано действие целого класса ...
Проект устройства приема и обработки сигналов узловой станции коммерческой сотовой системы спутниково-космической телефонной связи
Радиоприемные устройства входят в
состав радиотехнических систем связи, т.е. систем
передачи информации с помощью электромагнитных волн. Радиоприемное устройство состоит из приемной ...
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Разработать
конструкцию и выбрать технологический процесс изготовления диффузионного резистора
в составе ИМС. Программа выпуска - 50000 шт. в год. Выпуск ежемесячный.
Параметры
...