Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими электрическими переходами и тремя (или более) выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
.1 Статические характеристики биполярного p-n-p транзистора в схеме с общей базой
Рис. 19. Схема моделирования биполярного p-n-p транзистора с общей базой
Входные характеристики
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 0 10m 0.001m
.STEP V_V1 LIST 0 100
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC" \SCHEMATIC1.net"
Рис. 20. Входная характеристика биполярного p-n-p транзистора в схеме с общей базой
Как видно из графика, с ростом коллекторного напряжения уменьшается падение напряжения на эмиттерном переходе, что свидетельствует о наличии отрицательной обратной связи по постоянному напряжению.
Выходная характеристика
Параметры моделирования:
.DC LIN V_V1 -1 20 0.01
.STEP I_I1 LIST 1m 2m 3m 4m 5m
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 21. Выходная ВАХ биполярного p-n-p транзистора в схеме с общей базой
Начальный участок графика (V1<0) соответствует режиму насыщения транзистора, а область неизменного тока коллектора - активному режиму работы.
Читайте также
Разработка конструкции и технологии производства охранной сигнализации на 8 объектов
Цель курсового проекта - разработка конструкции и технологии изготовления
охранной сигнализации на 8 объектов.
Исходные данные для разработки: задание на курсовое проектирование,
прин ...
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Разработать
конструкцию и выбрать технологический процесс изготовления диффузионного резистора
в составе ИМС. Программа выпуска - 50000 шт. в год. Выпуск ежемесячный.
Параметры
...
Разработка конструкции линейного коммутатора
Радиоэлектронная аппаратура (РЭА), в основу функционирования которой
положены принципы электроники, строится на базе электронных компонентов
различного назначения (микросхем, резисторов, ...