Моделирование характеристик биполярных транзисторов

Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими электрическими переходами и тремя (или более) выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

.1 Статические характеристики биполярного p-n-p транзистора в схеме с общей базой

Рис. 19. Схема моделирования биполярного p-n-p транзистора с общей базой

Входные характеристики

Параметры моделирования:

.DC LIN I_I1 0 10m 0.001m

.STEP V_V1 LIST 0 100

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC" \SCHEMATIC1.net"

Рис. 20. Входная характеристика биполярного p-n-p транзистора в схеме с общей базой

Как видно из графика, с ростом коллекторного напряжения уменьшается падение напряжения на эмиттерном переходе, что свидетельствует о наличии отрицательной обратной связи по постоянному напряжению.

Выходная характеристика

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V1 -1 20 0.01

.STEP I_I1 LIST 1m 2m 3m 4m 5m

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 21. Выходная ВАХ биполярного p-n-p транзистора в схеме с общей базой

Начальный участок графика (V1<0) соответствует режиму насыщения транзистора, а область неизменного тока коллектора - активному режиму работы.

Читайте также

Организация сети местной телефонной связи
Для планирования работы транспорта, оперативного управления перевозочным процессом и предупреждения потерь создают системы передачи информационных потоков, основное требование к которым ...

Проектирование и расчет электрической сети 110-220 кВ
Проектирование электроэнергетических систем требует комплексного подхода к выбору и оптимизации схем электрических сетей и технико-экономическому обоснованию решений, определяющих состав ...

Проектирование систем автоматизации электрических железных дорог
Последнее десятилетие характеризуется существенным совершенствованием систем телемеханики и расширением областей их применения. Это обусловлено новейшими достижениями микроэлектроники и ...