Согласно заданию используя справочный материал, подбираем необходимые микросхемы из серии К155, т.е. микросхемы для построения КУ. Регистр состояний строю на ИМС К155ТМ2 в количестве двух штук
Таким образом, для реализации регистра состояний потребуется 2 микросхемы D-триггеров.
В качестве дешифратора состояний использую микросхему К155ИД6, которая имеет инверсные выходы
Таким образом, согласно уравнений потребуется реализовать прямые значения состояний, это потребует введение в схему инверторов в количестве равному числу состояний. Для уменьшения количества линий связи используют шинную организацию на основе, которой проставляются номера проводов кроме нулевого, начиная с первого.
На входы С триггеров Т1,Т2,Т3 подаются синхроимпульса от внешнего генератора которые определяют моменты перехода ЦУ из одного состояния в другое. На входы S через сопротивление R подаётся уровень логической единицы от источника питания +5В. Величина R=1-3 КОм. Установка триггеров регистра в исходное состояние осуществляется через разъём (контакт №5) либо посредством нажатия кнопки SB. С помощью разъёмов X1,X2 происходит электрическое соединение с ОУ (АЛУ). Через контакты 1,2,3 из ОЗУ (АЛУ) поступают сигналы и через разъёмы X2 контакта с 1 по 6-ой поступают сигналы исполнения микроопераций в АЛУ
Читайте также
Построение внутренней памяти процессорной системы, состоящей из ПЗУ и статического ОЗУ
Построить внутреннюю память процессорной системы, состоящую из ПЗУ и
статического ОЗУ. Процессорная система работает в реальном режиме.
Разрядность ША - 20, ШД - 8.
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ: ...
Обучающая подсистема для лабораторного исследования характеристик замкнутых САУ в среде интернет
В последние десятилетия в зарубежных системах образования
произошли существенные изменения, обусловленные бурным развитием
научно-технического прогресса и его воздейст ...
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование
В
данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования
для изучения характеристик традиционных полупроводник ...