Таблица 2. Предельно допустимые режимы эксплуатации
1 |
Напряжение питания |
не более 6 В |
2 |
Минимальное напряжение на входе |
-0,4 В |
3 |
Максимальное напряжение на входе |
5,5 В |
4 |
Минимальное напряжение на выходе |
-0,3 В |
5 |
Максимальное напряжение на выходе закрытой ИС |
5,25 В |
6 |
Температура окружающей среды К155ИЕ5 |
-10 .+70 ° C |
Рис. 2. Схема подключения синхронного 4-разрядного двоичного счетчика 74193 |
Рис. 3. Функциональная схема | |
Рис. 4. Условное графическое обозначение |
1 -вход счетный С2; 2 - вход установки 0 R0(1); 3 - вход установки 0 R0(2); 4,6,7,13 - свободные; 5 - напряжение питания +Uп; 8 - выход Q3; 9 - выход Q2; 10 - общий; 11 - выход Q4; 12 - выход Q1; 14 - вход счетный C1; | |
Основные параметры и характеристики двухполупериодного диодного моста D5SBA60
Таблица 3. Технические характеристики диодного моста
Пиковое обратное напряжение: |
600 V |
Максимальный ток перегрузки: |
120 A |
Падение напряжения в прямом направлении: |
1.05 V |
Максимальный обратный ток утечки: |
10 uA |
Максимальная рабочая температура: |
+ 150 C |
Длина: |
30 mm |
Ширина: |
4.6 mm |
Высота: |
20 mm |
Вид монтажа: |
Through Hole |
Основные параметры и характеристики диода 1N4376
Основные параметры и характеристики низкочастотного n-p-n транзистора
2N4064of transistor: Si: n-p-ncollector power dissipation (Pc): 10Wcollector-base voltage (Ucb): 300Vcollector-emitter voltage (Uce): 250Vemitter-base voltage (Ueb): 7Vcollector current (Ic max): 1Ajunction temperature (Tj): 200°Cfrequency (ft): 15MHzcapacitance (Cc), Pf: 10current transfer ratio (hFE), min/max: 40MINof 2N4064 transistor: RCAof 2N4064 transistor: TO131
Основные параметры и характеристики n-p-n транзистора Q2N2222
Category |
Discrete Semiconductor Products |
Family |
Transistors (BJT) - Single |
Series |
- |
Transistor Type |
NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) |
600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) |
40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
1V @ 50mA, 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) |
10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 150mA, 10V |
Power - Max |
625mW |
Frequency - Transition |
300MHz |
Mounting Type |
Through Hole |
Package / Case |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Supplier Device Package |
TO-92-3 |
Читайте также
Монтаж и регулировка шестиканальной цветомузыкальной приставки
Основным направлением развития радиоэлектронной
промышленности является создание высокотехнологической радиоэлектронной
аппаратуры на основе четкой организации производства, использован ...
Проектирование спутниковой линии связи между городом Якутск и поселком Черский
Стремительное развитие космонавтики, успехи в изучении и
исследовании околоземного и межпланетного космического пространства выявили
весьма высокую эффективность использования околоз ...
Проектирование устройств фильтрации
Неотъемлемая часть телекоммуникационных задач связана с преобразованием
сигналов. Одной из основных является фильтрация, т.е. выделение или подавление
определенных частот сигнала. Устрой ...