Датчик температуры CO-3M-01

(6)

Известно, что функцию вида е* можно разложить в степенной ряд:

(7)

Для нашего случая х =α(Т-T0). Так как величина а для меди сравнительно мала и в диапазоне температур до +150 °С может быть принята постоянной

α = 4,3 • 10 -3 1/°С, то и произведение α(Т-T0) в этом диапазоне температур меньше единицы. Поэтому не будет большой ошибкой пренебречь при разложении членами ряда второй степени и выше:

(8)

Выразим сопротивление при температуре Т через начальное сопротивление при Т0

(9)

Медные терморезисторы выпускаются серийно и обозначаются ТСМ (термосопротивления медные) с соответствующей градуировкой: гр. 23 имеет сопротивление 53,00 Ом при О °С; гр. 24 имеет сопротивление 100,00 Ом при О °С. Медные терморезисторы выполняются из проволоки диаметром не менее 0,1 мм, покрытой для изоляции эмалью.

Для металлического терморезистора чувствительность можно получить дифференцируя (5). Следовательно Sд=α. Именно температурный коэффициент сопротивления определяет чувствительность.

α = 4,3 • 10 -3 1/°С (10)

Приведем таблицу, где показана зависимость сопротивления медного терморезистора от температуры.

Таблица 1

Т.к измеряемый диапазон измерения температуры датчика от -50 до 100°С, то можем определить максимальное и минимальное сопротивление.

При T= -50°С R=41,71 Ом;

При T=100°С R=75,58 Ом;

Найдем передаточную функцию датчика:

W(p)= U/T;(11)

где U=I*R;(12)

Таким образом W(p)=; (13)

I==12В/75,58 Ом=0,16 А(14)

= α для терморезисторов; (15)

W(p)==0,16*4,3*10-3 =0,68*10-3

Усилитель мощности ЭУ3-П

Выбираем электронный усилитель типа ЭУ3-П. Усилители данного типа чаще всего применяются в измерительных комплектах: термопара, компенсационный мост с усилителем или автоматический потенциометр.

Передаточная функция звена имеет вид:

(16)

где Ку -коэффициент усиления электронного усилителя.

Ку =Uвых/Uвх=220/12=18

Подставляем известный коэффициент в формулу получим передаточная функция электронного усилителя имеет вид:

Wy(p)=18;

Читайте также

Проектирование усилителя напряжения
Прежде чем начать рассчитывать усилитель, выберем некоторые его элементы и условия моделирования. В качестве транзисторов будем использовать нашедшие широкое применение в прак ...

Проект оконечной ОС на базе системы DX200
Современное состояние и перспективные планы развития Единой Сети Электросвязи (ЕСЭ) Российской Федерации характеризуются широким внедрением цифровых технологий и оборудования цифровых си ...

Построение внутренней памяти процессорной системы, состоящей из ПЗУ и статического ОЗУ
Построить внутреннюю память процессорной системы, состоящую из ПЗУ и статического ОЗУ. Процессорная система работает в реальном режиме. Разрядность ША - 20, ШД - 8. ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ: ...