Показатели качества по ошибкам (ПКО) связаны с быстрыми замираниями на интервалах линии радиосвязи. Основная причина быстрых замираний (проходящих за доли секунд) - интерференция прямых и отраженных радиоволн, поступающих на вход приемников. Вероятность появления гладких интерференционных замираний определяется в соответствии с рекомендациями МСЭ-Т 338-4.
Ринт = Ккл*Q* f ВR0dС%
где Ккл=4.1*10-4 - климатический коэффициент; В разных климатических зонах наблюдаются весьма большие различия при выборе величин, входящих в формулу, приведенную выше, в нашем случае:
|
№ |
Район |
Ккл |
b |
d |
|
1 |
Сухопутные районы России |
4.1 10-4 |
1.5 |
2 |
Q=1.5 - фактор земной поверхности при слабопересеченной местности;
В, С, d - коэффициенты, которые равны В=1.5, С=1, d=2.
Ринт=4.1*10-4*1.5*201.5*202=14.669%
Зная Ринт можно рассчитать процент времени появления сильно пораженных секунд СПС:
СПС= Ринт *10-0.1Lз.зам
СПСрасч= 14.149*10-0.1*34=0.0021, %
В соответствии с рекомендациями МСЭ-Т 338-4 для линий связи среднего качества 1-го класса СПС равно:
СПС≤0.006, %
Сравним нашу расчетную величину СПСрасч с допустимой величиной СПС:
СПСрасч= 0.0021, % < СПС=0.006, %
Т.к. расчетная величина значительно меньше нормы можно сделать вывод о том, что система будет стабильно работать с заданным для нее показателем неготовности, а это уже свидетельствует о правильности выбора аппаратуры и расчета параметров.
Читайте также
Назначение и виды ударно-контактных извещателей
Извещатели
ударно-контактные формируют тревожное извещение при
нормированном ударном воздействии на контролируемую поверхность охраняемого
объекта. Они предназначены для обнаружения раз ...
Разработка конструкции и технологии производства охранной сигнализации на 8 объектов
Цель курсового проекта - разработка конструкции и технологии изготовления
охранной сигнализации на 8 объектов.
Исходные данные для разработки: задание на курсовое проектирование,
прин ...
Проектирование двухвходовой КМОП-схемы дешифратора 2 в 4
КМОП
(комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS,
Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) - технология построения
электронных схем. В те ...