Учет атмосферной рефракции и уточнение высот подвеса антенн

Основная сложность расчетов РРЛ определяется тем, что траектория распространения электромагнитной волны непрямолинейна, случайна и зависит от состояния атмосферы, от величины градиента диэлектрической проницаемости атмосферы (g). Это явление называется атмосферной рефракцией. В среднем, атмосферная рефракция приводит к увеличению значения просвета по сравнению с геометрической величиной, определяемой высотами подвеса антенн. Однако при определенных атмосферных условиях (субрефракции), наблюдается уменьшение величины просвета и, при недостаточно высоких антенных опорах, трасса может закрываться, т.е. может нарушаться прямая видимость.

Для нормальной работы цифровой РРЛ, величина просвета с учетом атмосферной рефракции на трассе, должна удовлетворять условиям, приведенным в табл. 5.

Катм - коэффициент преломления атмосферы, представляющий собой отношение эквивалентного радиуса Земли (при атмосферной рефракции) к геометрическому радиусу Земли.

Для учета атмосферной рефракции и уточнения высот антенных опор, нужно перестроить (трансформировать) профили.

В данном случае рассматривается нормальная (стандартная) рефракция.

При Катм=1,33, g=-8∙10-8,1/м

При Катм=0,7, g=-4,21∙10-8,1/м

Построим профили с у четом рефракции.

Рис. 5. Построение профиля 1 с учетом рефракции

Рис. 6. Построение профиля 2 с учетом рефракции

Учитывая условие -8·10-8<g<0, можно сказать, что рефракция будет пониженной и высоты мачт антенн можно понизить на ∆Нg.

Так как Н0=Н, то ∆Нg будет рассчитано по формуле:

,

Значит высоту мачт антенн можно опустить на 0,5 м.

После учета рефракции высота антенн стала 111,46, 74,09 и 99,09 м.

Читайте также

Параллельное развитие аналоговой и цифровой вычислительной техники
Вычислительная техника сегодня является важнейшим компонентом процесса вычислений и обработки данных. Основой современной научно-технической революции является бурное развитие средств об ...

Разработка конструкции линейного коммутатора
Радиоэлектронная аппаратура (РЭА), в основу функционирования которой положены принципы электроники, строится на базе электронных компонентов различного назначения (микросхем, резисторов, ...

Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Разработать конструкцию и выбрать технологический процесс изготовления диффузионного резистора в составе ИМС. Программа выпуска - 50000 шт. в год. Выпуск ежемесячный. Параметры ...