Выбор селективных систем и расчет требуемой добротности контуров радиочастотного тракта

Задаемся ориентировочным числом одиночных контуров входной цепи и каскадов УРЧ, которые обеспечивают. Главным образом, избирательность по зеркальному каналу Nc=2. Определяем максимально допустимую добротность контуров Qп, обеспечивающую заданное ослабление на краях полосы пропускания:

где fmin-минимальная частота диапазона;

Прч-ширина полосы пропускания радиочастотного тракта;

Qп-ослабление на краях полосы пропускания, принятая для радиочастотного тракта (0÷2) дБ.

Необходимая добротность контуров Qи, обеспечивающая заданную избирательность по ЗК

,

где ;

Возможная эквивалентная конструктивная добротность с учетом шунтирующего действие входного сопротивления применяемого электронного прибора

,

где ш - коэффициент шунтирования контура электронным прибором;

Qк - конструктивная добротность контура.

Ориентировочное значение величин Qк=(60÷150), ш=(0,5÷0,8).

Так как

,

то эквивалентную добротность контуров Qэ необходимо принять равной или немного большей Qи.

Тогда примем Qэ=150, количество одиночных контуров примем равной 2 и Qк=160.

Проверим правильность выводов.

Расчётная избирательность по ЗК

Отсюда следует,, расчетное больше заданного , исходные данные выполнены.

Расчетное значение ослабление на краях полосы пропускания

Следовательно, технические условия полностью выполнены.

Читайте также

Проектирование устройства автоматической компенсации доплеровской частоты для СДЦ РЛС 5Н84А
Широкое применение радиолокационной техники в военных целях (воздушная и наземная разведки, навигация, вывод на траекторию ракет различного назначения) вызвало в последние годы бурное р ...

Основные принципы и задачи по организации технической эксплуатации ВОЛП
Техническую эксплуатацию линейно-кабельных сооружений магистральной и внутризоновых первичных сетей Российской Федерации организуют Минсвязи РФ и центры технической эксплуатации в соотв ...

Проектирование двухвходовой КМОП-схемы дешифратора 2 в 4
КМОП (комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) - технология построения электронных схем. В те ...