Расчет параметров оптического волокна

Dl=1¸3 нм для ППЛ; Dl=20¸40 нм для СИД.

волноводная дисперсия

обусловлена процессами внутри моды и характеризуется зависимостью коэффициента распространения моды от длины волны:

tвол=Dl×В(l)=3*12=36 пс/км

; (4.12)

где: В(l) - волноводная дисперсия,

профильная дисперсия

проявляется в реальных ОК и обусловлена отклонением продольных и поперечных геометрических размеров и форм реального ОВ от номинала.

tпр=Dl×П(l)=3*5,5=16,5 пс/км

; (4.13)

где П(l) - удельная профильная дисперсия

для определения М(l), В(l), П(l) воспользуемся таблицей 4.1

Длина волны l, мкм	0,6	0,8	1,0	1,2	1,3	1,4	1,55	1,6	1,8
М(l), с/(км×нм)	400	125	40	10	-5	-5	-18	-20	-25
В(l), пс/(км×нм)	5	5	6	7	8	8	12	14	16
П(l), с/(км×нм)	0	1,5	5	2,5	4	5	5,5	6,5	7,5

Результирующая хроматическая дисперсия:

=3*10с/км. (4.14)

В одномодовых ОВ имеет место только хроматическая дисперсия, обусловленная некогерентностью источника излучения.

В многомодовых волокнах tмод>>tхр.

Модовую дисперсию для градиентного ОВ можно найти по формуле:

пс/км; (4.15)

где: NA - числовая апертура ОВ;

n1 - показатель преломления сердцевины ОВ;

с - скорость света, км/с.

Перейти на страницу: 1 2

Читайте также

Назначение и виды ударно-контактных извещателей
Извещатели ударно-контактные формируют тревожное извещение при нормированном ударном воздействии на контролируемую поверхность охраняемого объекта. Они предназначены для обнаружения раз ...

Построение внутренней памяти процессорной системы, состоящей из ПЗУ и статического ОЗУ
Построить внутреннюю память процессорной системы, состоящую из ПЗУ и статического ОЗУ. Процессорная система работает в реальном режиме. Разрядность ША - 20, ШД - 8. ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ: ...

Разработка конструкции линейного коммутатора
Радиоэлектронная аппаратура (РЭА), в основу функционирования которой положены принципы электроники, строится на базе электронных компонентов различного назначения (микросхем, резисторов, ...

Основные разделы