Расчет параметров оптического волокна

Dl=1¸3 нм для ППЛ; Dl=20¸40 нм для СИД.

волноводная дисперсия

обусловлена процессами внутри моды и характеризуется зависимостью коэффициента распространения моды от длины волны:

tвол=Dl×В(l)=3*12=36 пс/км

; (4.12)

где: В(l) - волноводная дисперсия,

профильная дисперсия

проявляется в реальных ОК и обусловлена отклонением продольных и поперечных геометрических размеров и форм реального ОВ от номинала.

tпр=Dl×П(l)=3*5,5=16,5 пс/км

; (4.13)

где П(l) - удельная профильная дисперсия

для определения М(l), В(l), П(l) воспользуемся таблицей 4.1

Длина волны l, мкм

0,6

0,8

1,0

1,2

1,3

1,4

1,55

1,6

1,8

М(l), с/(км×нм)

400

125

40

10

-5

-5

-18

-20

-25

В(l), пс/(км×нм)

5

5

6

7

8

8

12

14

16

П(l), с/(км×нм)

0

1,5

5

2,5

4

5

5,5

6,5

7,5

Результирующая хроматическая дисперсия:

=3*10с/км. (4.14)

В одномодовых ОВ имеет место только хроматическая дисперсия, обусловленная некогерентностью источника излучения.

В многомодовых волокнах tмод>>tхр.

Модовую дисперсию для градиентного ОВ можно найти по формуле:

пс/км; (4.15)

где: NA - числовая апертура ОВ;

n1 - показатель преломления сердцевины ОВ;

с - скорость света, км/с.

Перейти на страницу: 1 2 

Читайте также

Основы телефонной коммутации
История освоения направления телекоммуникационного оборудования началась в далеком 1992г., когда на развалинах Советского Союза небольшая группа инженеров-энтузиастов во главе с будущим ...

Проектирование цифрового устройства для реализации типовых микроопераций
Разработать функциональную и принципиальную схему операционного устройства исходя из основных параметров по вариантам. Также требуется предоставить блок схемы алгоритмов выполнения опе ...

Проектирование двухвходовой КМОП-схемы дешифратора 2 в 4
КМОП (комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) - технология построения электронных схем. В те ...

Основные разделы

Все права защищены! (с)2026 - www.generallytech.ru