Процессорный модуль на БИС 1810

Два режима работы МП 1810 позволяют строить на его основе центральные процессоры для простых микроконтроллеров и вычислительные модули мультипроцессорных систем.

При построении простых микроконтроллеров МП 1810 чаще всего работает в минимальном режиме, а архитектура всего микроконтроллера использует однопользовательскую системную шину (см. рис. 2.1).

Рис. 2.1

В такой конфигурации процессор состоит из МП КР1810ВМ86, системного генератора КР1810ГФ84 и БИС магистрального интерфейса КР580ИР82/83, КР580ВА86/87 или КР1810ИР82/83 и КР1810ВА86/87, предназначенных для обеспечения требуемой нагрузочной способности.

В схеме на рис. 3 интерфейс адресной шины реализован на буферных регистрах КР580ИР82, в которые записывается информация с выходов AD0-AD15, A16-A19 МП 1810ВМ86 по сигналу STB в такте Т1 и хранится там в течение всего машинного цикла. Интерфейс шины данных реализован на шинных формирователях КР580ВА86.

Информация о данных поступает в формирователи по сигналу с выходов AD0-AD15 МП КР1810ВМ86 в такте Т2-Т3. Мультиплексор К555КП11 формирует раздельные сигналы чтения/записи ЗУ и ВУ.

Имеется возможность организации канала прямого доступа к памяти (ПДП) на БИС КР1810ВТ37 и системы прерываний на БИС КР1810ВН59.

Читайте также

Применение пространственной фильтрации для улучшения радиоголографических изображений объектов, находящихся за препятствиями
В настоящее время активно развивается раздел науки, посвященный радиовидению. Это связано с тем, что радиовидение может найти свое применение в широкой сфере деятельности человека для об ...

Проектирование САУ приводом наведения реактивной бомбометной установки РБУ-6000
Реактивные бомбометные установки РБУ-1000 "Смерч-2" и РБУ-6000 "Смерч-3" предназначенные для залповой и одиночной стрельбы реактивными глубинными бомбами РГБ-60 ...

Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование В данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводник ...