Окисление
Общим для диэлектрических пленок различного назначения является требование технологичности, под которым понимают прежде всего совместимость процессов получения покрытия с изготовлением структуры ИМС в целом. Технологичными следует также считать процессы, осуществляймые при невысоких температурах нагрева пластины и обеспечивающие приемлемую для производства скорость роста пленки. Загрязнения пленки, ухудшающие электрические свойства, должны отсутствовать. Поэтому химическое и электрохимическое выращивание пленок в растворах и электролитах при производстве полупроводниковых ИМС находит ограниченное применение.
Эксплуатационным требованиям достаточно полно отвечает окись кремния, получаемая при нагревании его поверхности в присутствии кислорода (термическое окисление). Термически выращенный окисел кремния обладает наилучшими маскирующими свойствами и высокими электрическими параметрами. Склонность окиси кремния к стеклообразованию способствует получению безпористой пленки. Хорошая растворимость окиси в плавиковой кислоте позволяет эффективно использовать ее в качестве маски при селективном травлении кремния.
Процесс окисления выполняют в эпитаксиальных установках или в однозонных диффузионных печах со специальными газорапределительными устройствами. На практике разгонку примеси при диффузии совмещают с окислением поверхности подложек. Окисление поверхности после эпитаксии также выполняется на одной установке в едином цикле.
Различают несколько типов термического окисления:
Термическое окисление в сухом кислороде - обладает наименьшей скоростью окисления. Преимущество - высокое качество пленки и ее высокая плотность
Термическое окисление в атмосфере водяного пара - окисление кремния существенно ускоряется. Более высокая скорость роста пленки объясняется меньшим диаметром молекулы окислителя. Недостатком является необходимость использования герметичных и высокопрочных реакторов вместо технологичных проточных систем.
Термическое окисление в атмосфере влажного кислорода - компромисное решение, обеспечивающее комбинированный процесс.
Заключение
В данном дипломном проекте рассмотрена обучающая Интернет - подсистемы для лабораторного исследования характеристик устойчивости разомкнутой и замкнутой САУ с помощью частотных критериев устойчивости. Приведены основные вопросы создания данной подсистемы:
Ø структура;
Ø структура меню;
Ø методики обучения;
Ø методика допуска;
Ø методика лабораторного исследования;
Ø алгоритмическое обеспечение;
Ø программное обеспечение.
При проектировании данной подсистемы и оформлении дипломного проекта было использовано следующее техническое и программное обеспечение:
Ø персональный компьютер семейства x86;
Ø операционная система Windows XP;
Ø сервер Apache Server 2.2.4 for Windows;
Ø язык программирования PHP 5.2.4;
Ø графический редактор Adobe Photoshop CS3;
Ø html-редактор Macromedia Dreamweaver 4.0;
Ø текстовый редактор MS Word for Windows v. 9.0.
В проекте так же рассмотрены технологические процессы фотолитографии и производства приборов (ИМС) по КМДП - технологии.
Читайте также
Оптоэлектронные технологии
Оптоэлектроника
- бурно развивающаяся область науки и техники. Многие ее достижения вошли в
быт: индикаторы, дисплеи, лазерные видеопроигрыватели. Разрабатывается
твердоте ...
Последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией
Прежде чем начать изложение основного материала моей курсовой работы,
стоит ввести определения некоторых понятий, которые в дальнейшем будут широко
использоваться в данной работе.
Инт ...
Проектирование двухвходовой КМОП-схемы дешифратора 2 в 4
КМОП
(комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS,
Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) - технология построения
электронных схем. В те ...