Технический процесс изготовления приборов (ИМС) по КМДП технологии

Процесс изготовления ИМС состоит из определённого числа технологических операций и переходов, в результате которых из исходных материалов на пластине заданных размеров получаются готовые электронные функциональные устройства - микросхемы.

Специфической особенностью изготовления ИМС является интегрально - групповой метод производства. Суть его заключается в интеграции большого количества различных и однотипных элементов на едином технологическом носителе - пластине и в интеграции технологических процессов (операций) при групповых методах их проведения. Это означает, что за один технологический цикл одновременно создаётся не один, а множество ИМС.

Последовательность технологических операций при формировании структуры КМДП по самосовмещённой технологии приведена в таблице 2.1. Самосовмещённая технология - это такая технология, когда длина каналов обоих типов электропроводности уменьшается за счёт использования технологии подлегирования через специально сформированную маску из поликристаллического кремния, который выполняет роль затвора.

Таблица 2.1 Перечень, последовательность и номинальные параметры слоёв микросхем

№ п.п.	Наименование слоя	Номер фотошаблона	Номинальные параметры	Примечание
1	Исходный кристалл	-	КЭФ=4,5 (100) КЭФ=20 (100)
2	Первичный термический окисел	-	d=0,40ч0,50 мкм
3	Карман р-типа	1	Na=1·10 смЇі d=5ч8 мкм	Выполняют фотолитографию «кармана» и двухстадийную диффузию «кармана» на необходимую глубину.
4	Диффузионные р-слои (исток, сток, охранная область)	2	rs=10ч25 Ом/ d=0,40ч0,50 мкм	Выполняют фотолитографию и диффузию.
5	Диффузионные n-слои (исток, сток, охранная область)	3	gs=10ч25 Ом/ d=1,4ч1,6 мкм
6	Тонкий оксид	4	d=0,09 ±0,01 мкм	Проводят фотолитографию. Выращивают тонкий слой окисла.
7	Поликристаллический кремний	5	d=0,3ч0,6 мкм	Наращивают специальную маску из поликристаллического кремния Si*.
8	Подлегирование областей истока - стока р-канального транзистора	6	Na=1·10 смЇі d=0,4 мкм
9	Подлегирование областей истока - стока n-канального транзистора	7	Nд ≈1·10 смЇі d =0,4 мкм
10	Межслойный диэлектрик	-	d≈0,5 мкм
11	Контактные окна	8	4Ч4 мкм	Проводят фотолитографию - вскрытие окон под контакты.
12	Металлизация алюминием	9	d=1,2ч0,2 мкм	Создание внутрисхемных соединений путём металлизации алюминием.
13	Диэлектрический защитный слой	10	d=0,5 ±0,2 мкм	Пассивация - нанесение защитного покрытия, в котором фотолитографией вскрывают окна под периферийные контактные площадки.

Перейти на страницу: 1 2

Читайте также

Проектирование РЭА
При конструкторском проектировании РЭА (радиоэлектронной аппаратуры) решаются задачи, связанные с поиском наилучшего варианта конструкции, удовлетворяющего требованиям технического задан ...

Разработка микропроцессорного контроллера для контроля ритма дыхания больного
В последнее время микропроцессорные средства вычислительной технике стало широко применяться в приборах бытовой техники, различных контрольно-измерительных устройствах, системах управлен ...

Проектирование аппаратного обеспечения одноплатных микроконтроллеров
Задание: В заданной РЭС осуществить управляющую функцию по одному из заданных параметров с помощью контроллера, построенного на МПК, разработать электрическую принципиальную схему проект ...

Основные разделы