Моделирование характеристик диффузионного резистора

В полупроводниковых интегральных микросхемах на биполярных структурах в качестве резисторов часто используются проводящие области полупроводника помещённые, в изолированных с помощью p-n перехода областях. Наличие изолирующего p-n перехода с его барьерной ёмкостью будет сказываться на значении сопротивления при работе на переменном сигнале, особенно в области высоких частот из-за шунтирующего действия ёмкостного сопротивления p-n перехода. На рис. 92 приведены эквивалентные схемы диффузионного резистора состоящего из 1, 3, 5 и 10 Т-образных RC звеньев.

Рис. 92. Эквивалентные схемы моделирования диффузионного резистора состоящего из 1, 3, 5 и 10 Т-образных RC звеньев.

Параметры моделирования:

.AC LIN 5000 1 10meg

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 93. Зависимость сопротивления диффузионного резистора от частоты при использовании эквивалентных схем, состоящих из различного числа звеньев

Из рисунка видно, что использование эквивалентной схемы состоящей из трёх звеньев уже даёт довольно точные результаты моделирования.

Читайте также

Проектирование РЭА
При конструкторском проектировании РЭА (радиоэлектронной аппаратуры) решаются задачи, связанные с поиском наилучшего варианта конструкции, удовлетворяющего требованиям технического задан ...

Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование В данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводник ...

Основные принципы и задачи по организации технической эксплуатации ВОЛП
Техническую эксплуатацию линейно-кабельных сооружений магистральной и внутризоновых первичных сетей Российской Федерации организуют Минсвязи РФ и центры технической эксплуатации в соотв ...