Моделирование характеристик диффузионного резистора

В полупроводниковых интегральных микросхемах на биполярных структурах в качестве резисторов часто используются проводящие области полупроводника помещённые, в изолированных с помощью p-n перехода областях. Наличие изолирующего p-n перехода с его барьерной ёмкостью будет сказываться на значении сопротивления при работе на переменном сигнале, особенно в области высоких частот из-за шунтирующего действия ёмкостного сопротивления p-n перехода. На рис. 92 приведены эквивалентные схемы диффузионного резистора состоящего из 1, 3, 5 и 10 Т-образных RC звеньев.

Рис. 92. Эквивалентные схемы моделирования диффузионного резистора состоящего из 1, 3, 5 и 10 Т-образных RC звеньев.

Параметры моделирования:

.AC LIN 5000 1 10meg

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 93. Зависимость сопротивления диффузионного резистора от частоты при использовании эквивалентных схем, состоящих из различного числа звеньев

Из рисунка видно, что использование эквивалентной схемы состоящей из трёх звеньев уже даёт довольно точные результаты моделирования.

Читайте также

Проектирование корпоративной сети
Информационная сеть - сеть, предназначенная для обработки, хранения и передачи данных. Информационная сеть состоит из: · абонентских и административных систем; · связы ...

Проектирование сооружений городской районной телефонной сети
Основными задачами, стоящими перед отраслью связи на городской телефонной сети (ГТС), являются улучшение характеристик качества обслуживания и предоставление новых видов услуг св ...

Разработка лабораторного стенда Измерение опасных акустических сигналов
Для человека слух является вторым по информативности после зрения. Поэтому одним из довольно распространенных каналов утечки информации является акустический канал. В акустическом канал ...