Расчёт неповторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии и неповторяющегося обратного напряжения

Неповторяющееся импульсное напряжение тиристора в закрытом состоянии и неповторяющееся импульсное обратное напряжение должны с коэффициентом запаса превышать напряжение :

,(6.4)

тогда получаем, что В.

Значения неповторяющихся импульсных напряжений и связаны со значениями повторяющихся импульсных напряжений и коэффициентами, определяемыми заводами-изготовителями:

и , (6.5)

где для нелавинных приборов.

Тогда В,

округлив данное значение в большую сторону, с учётом вышеуказанных условий окончательно примем тиристоры седьмого класса.

Читайте также

Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование В данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводник ...

Построение внутренней памяти процессорной системы, состоящей из ПЗУ и статического ОЗУ
Построить внутреннюю память процессорной системы, состоящую из ПЗУ и статического ОЗУ. Процессорная система работает в реальном режиме. Разрядность ША - 20, ШД - 8. ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ: ...

Проектирование двухвходовой КМОП-схемы дешифратора 2 в 4
КМОП (комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) - технология построения электронных схем. В те ...