Топологический чертеж

Разработаем топологический чертеж заданной схемы в топологическом редакторе L-Edit САПР Tanner (рисунок 6).

Рисунок 6 - Топологический чертеж

Извлечем текстовое описание из топологии для проверки ее правильности. Получим:

* Circuit Extracted by Tanner Research's L-Edit Version 11.12 / Extract Version 11.12 ;

* TDB File: C:\sklf_tann\PC-OTK.tdb

* Cell: Cell0 Version 1.03

* Extract Definition File: \Program Files\Tanner EDA\L-Edit 11.1\samples\spr\example2\morbn20.ext

* Extract Date and Time: 06/26/2010 - 07:581 0 C=13.524fVDD 0 C=315.657fGND_3 0 C=260.654fGND_1 0 C=43.43fGND 0 C=43.43fGND_2 0 C=83.408f7 0 C=13.524f8 0 C=13.524fGND_4 0 C=43.43fB 0 C=62.99fA 0 C=56.996f12 0 C=13.524fVDD B GND_2 VDD PMOS L=3u W=3u AD=45p PD=30u AS=28.5p PS=19uGND_2 GND_2 1 VDD PMOS L=3u W=3u AD=28.5p PD=19u AS=21p PS=17u1 VDD VDD VDD PMOS L=3u W=3u AD=21p PD=17u AS=45p PS=30uGND_3 B GND_2 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=45p PD=30u AS=27p PS=18uGND_2 GND_2 GND_2 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=27p PD=18u AS=27p PS=18uGND_2 VDD GND_3 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=27p PD=18u AS=45p PS=30uGND_1 GND_2 8 VDD PMOS L=3u W=3u AD=45p PD=30u AS=21p PS=17u8 A VDD VDD PMOS L=3u W=3u AD=21p PD=17u AS=45p PS=30uVDD A 7 VDD PMOS L=3u W=3u AD=45p PD=30u AS=21p PS=17u7 B GND VDD PMOS L=3u W=3u AD=21p PD=17u AS=45p PS=30uGND_3 GND_2 GND_1 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=45p PD=30u AS=27p PS=18uGND_1 A GND_3 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=27p PD=18u AS=45p PS=30uGND_3 A GND GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=45p PD=30u AS=27p PS=18uGND B GND_3 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=27p PD=18u AS=45p PS=30uGND_4 B 12 VDD PMOS L=3u W=3u AD=45p PD=30u AS=21p PS=17u12 VDD VDD VDD PMOS L=3u W=3u AD=21p PD=17u AS=45p PS=30uVDD A VDD VDD PMOS L=3u W=3u AD=48p PD=32u AS=45p PS=30uGND_3 B GND_4 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=45p PD=30u AS=27p PS=18uGND_4 VDD GND_3 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=27p PD=18u AS=45p PS=30uVDD A GND_3 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=45p PD=30u AS=45p PS=30u

* Total Nodes: 12

* Total Elements: 32

* Total Number of Shorted Elements not written to the SPICE file: 0

* Output Generation Elapsed Time: 0.000 sec

* Total Extract Elapsed Time: 14.781 sec

.END

После проведения симуляции получаем передаточную характеристику (рисунок 7).

Рисунок 7 - Результаты моделирования извлеченного из топологии схемного описания

Из рисунка видно, что U0 = 0 , U1 = E = 4 В, UП = 1,85 В ≈ E / 2, значит топология построена правильно.

Заключение

В курсовом проекте произведен приближенный расчет электрических параметров КМОП-схемы «Искл-ИЛИ». На основе типового технологического процесса были рассчитаны электрофизические и конструктивные параметры компонентов схемы. Проведен схемотехнический анализ в программе T-Spice САПР Tanner. Разработан топологический чертеж, осуществлена его проверка с помощью извлечения текстового описания схемы и моделирования.

Читайте также

Проект соединительной цифровой радиорелейной линии для сети сотовой связи Томск - Володино
Темпы увеличения потребности в электросвязи и соответственно темпы реализации этой потребности в технических системах непрерывно увеличивались на всем протяжении закончившегося ХХ века ...

Проект участка сети доступа по технологии PON г. Новосибирска
Современное общество - информационное общество. Жизнь и деятельность человека неразрывно связана с информацией, ее хранением, передачей и обработкой, Объем данных передаваемых по канала ...

Проектирование устройства автоматической компенсации доплеровской частоты для СДЦ РЛС 5Н84А
Широкое применение радиолокационной техники в военных целях (воздушная и наземная разведки, навигация, вывод на траекторию ракет различного назначения) вызвало в последние годы бурное р ...